Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
BSS214NW L6327
Product Overview
Mtengenezaji:
Infineon Technologies
Nambari ya Kipande:
BSS214NW L6327-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Maelezo ya Kina:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Hesabu:
12838836
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
xymg
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
BSS214NW L6327 Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Infineon Technologies
Ufungashaji
-
Mfululizo
OptiMOS™
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
20 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
1.5A (Ta)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
500mW (Ta)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
PG-SOT323
Kifurushi / Kesi
SC-70, SOT-323
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
3,000
Majina mengine
SP000440880
BSS214NW L6327-DG
BSS214NWL6327
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
BSS214NWH6327XTSA1
MTENGENEZAJI
Infineon Technologies
KIASI KILICHOPATIKANA
98899
Nambari ya Sehemu
BSS214NWH6327XTSA1-DG
BEI YA KILA KITU
0.05
AINA YA KUBADILISHA
Parametric Equivalent
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
FQPF46N15
MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F
HUFA75307D3S
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
